2024-11-03
深度学习
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有时候版本不对咋调都不对,直接用requests :

2024-11-03
深度学习ban
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2024-11-01
深度学习
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数据准备详解:LLaMA-Factory

https://llamafactory.readthedocs.io/zh-cn/latest/getting_started/data_preparation.html

在构建和优化大型语言模型的过程中,数据集的质量和格式至关重要。本文将详细介绍如何准备符合要求的数据集,包括数据格式、内容要求以及在 dataset_info.json 中的配置方法。

2024-11-01
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2024-11-01
深度学习ban
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2024-11-01
深度学习
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把自己图片暴露到互联网然后:

2024-11-01
深度学习
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模拟多轮对话:

2024-10-31
单片机
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PA5输入低电平的时候,relay_on是高电平5V,会让Q2导通,继电器就是开启状态。

2024-10-31
单片机
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MOSFET关闭状态

当箭头所指位置输入高电平时,可以分析9013的集电极(C)电压。假设输入高电平为3.3V,具体情况如下:

  1. 基极电流:箭头输入高电平时,9013的基极通过R2(4.7kΩ)和基极到发射极电压(通常为0.7V)建立基极电流。此时,基极电流约为 ((3.3V - 0.7V) / 4.7kΩ ≈ 0.55mA)。

  2. 三极管导通:由于9013的基极电流足够大,三极管进入饱和导通状态。

  3. 集电极电压:在饱和状态下,三极管的集电极电压 ( V_{CE(sat)} ) 通常在 0.2V 到 0.3V 之间。因此,在输入高电平时,9013的集电极电压接近于0V(即接地)。

因此,当箭头所指位置输入高电平时,9013的集电极电压应约为 0.2V到0.3V之间,接近于0V。

2024-10-30
单片机
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开关电路

在开关电路设计中,MOSFET通常被用作电子开关,能够控制电流的通断。MOSFET开关的设计需要考虑MOSFET的类型、极性(N沟道或P沟道)、驱动电压、电流负载等参数。以下是MOSFET作为开关使用时的基本设计思路和接线方法。

1. 确定MOSFET类型

MOSFET有N沟道和P沟道之分。在开关电路中,N沟道MOSFET通常用于低端开关(接地端开关),而P沟道MOSFET通常用于高端开关(电源端开关)。

  • N沟道MOSFET:漏极(Drain,D)通常接负载的负端,源极(Source,S)接地。栅极(Gate,G)通过一个合适的电压控制MOSFET的导通和关断。
  • P沟道MOSFET:源极(S)通常接电源,漏极(D)接负载的正端。控制栅极和源极之间的电压差,使其导通或关断。